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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極型晶體管的簡稱,可看做前級MOSFET和后級大功率三極管(GTR) 的組合,兼有MOSFET的高輸人阻抗和GTR的可通過大電流的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大; MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低,在工控行業的變頻器、伺服驅動器、大功率電源、逆變器等設備中已經廣泛應用。
IGBT模塊是價格相對較高的電子元件,市面上有不少拆機模塊,價格相對全新模塊有優勢,性能測試也都符合要求,維修中使用這些拆機模塊也無可厚非,但有不良商家偷梁換柱,將電流值低一檔次但外觀一致的模塊經過重新打磨貼標,冒充高–檔電流的模塊出售,這些模塊工作在其額定電流內一般也不會出現問題,一旦電流高出額定值,往往造成炸機后果。
我就親遇此情形數次,每每懷疑自己的維修技術水平。其實可有一 法檢定模塊的額定電流水平,即測IGBT的柵極G對發射極E的結電容,電容量大則電流大,所以只要將購入模塊和損壞模塊的G、E結電容比較一下就 可判斷模塊有無貓膩。